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關于晶湛

蘇州晶湛半導體有限公司

晶湛半導體由業界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創辦，坐落于蘇州市工業園區，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發和產業化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案。

900
國內外申請近900項專利
ISO 9001認證
lSO 9001:2015認證
IATF 16949:2016認證
2012
2012年投資創建

產品中心

專業氮化鎵材料制造商

電力電子

? GaN-on-Si (100mm,150mm,200mm,300mm)

? D-mode and E-mode

? Breakdown Voltage available from 200V to 1200V

高端光電

? GaN-on-Sapphire (50.8mm,100mm,150mm)

? GaN-on-Si (100mm,150mm,200mm,300mm)

? UVC, Near-UV, Blue, Green & Red

其他定制

新聞媒體

2025-10-21

東微半導體與晶湛半導體攜手突破12英寸氮化鎵技術，共同推進氮化鎵功率器件發展蘇州東微半導體股份有限公司與蘇州晶湛半導體有限公司聯合宣布，雙方已達成戰略合作，共同推進12英寸氮化鎵技術與產品的研發與應用。查看詳情 +

2025-09-03

晶湛半導體大尺寸N面GaN材料生長突破晶湛半導體通過“襯底偏角設計”與“雜質抑制工藝”雙重結合，首次報道了6寸N面GaN材料生長結果，成功實現N面GaN材料表面粗糙度低至2nm的行業最優水平。查看詳情 +

2025-08-28

晶湛半導體程凱博士出席IPF2025 解碼產業新生態 “第三屆功率器件制造測試與應用大會（IPF 2025）”在江蘇無錫隆重開幕。晶湛半導體總裁程凱博士應邀出席圓桌論壇并在功率半導體先進材料與晶圓“智”造論壇上做了精彩的演講報告。查看詳情 +

2025-04-08

晶湛半導體發布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺助力AR眼鏡商業化進程晶湛半導體在SEMICON CHINA 2025期間發布了基于ZDP?平臺驗證的Full Color GaN?全彩系列第二代外延片，為行業帶來了破局曙光。查看詳情 +

2023-12-08

晶湛半導體完成數億元C+輪融資近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體宣布完成C+輪數億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數億元融資以來的又一融資進展。查看詳情 +

2022-12-08

晶湛半導體完成數億元C輪融資第三代半導體氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體宣布完成數億元C輪融資查看詳情 +

2022-11-05

晶湛半導體十周年慶典圓滿結束晶耀十載-敢為未來ADecadeofPerseverancePowerstheFuture 查看詳情 +

2022-11-05

晶湛半導體總部大樓順利封頂晶湛半導體總部大樓建設項目封頂儀式在蘇州工業園區納米城隆重舉行。查看詳情 +

2022-04-18

晶湛半導體發布Full Color GaN?全彩系列LED產品并打破300mm壁壘 2022年4月8日，蘇州晶湛半導體有限公司今日發布了其面向微顯示產業應用的FullColorGaN?全彩系列外延片產品，并將LED外延片尺寸成功拓展至300mm。查看詳情 +

2022-03-03

氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體完成數億元戰略融資 (2022年3月1日，蘇州)近日，蘇州晶湛半導體有限公司（“晶湛半導體”）宣布完成B+輪數億元戰略融資。本輪融資由歌爾微電子（歌爾股份002241.SZ控股子公司）領投，高瓴創投、惠友資本、創新工場、禾創致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續加碼。晶湛半導體由業界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創辦，坐查看詳情 +

2021-12-02

晶湛半導體總部大樓正式奠基 2021年12月2日上午，晶湛半導體總部大樓建設項目奠基儀式在蘇州工業園區納米城正式舉行查看詳情 +

2021-09-23

晶湛半導體成功突破12英寸硅基氮化鎵HEMT外延技術 2021年9月23日，由蕪湖市人民政府和SEMI中國共同主辦的“化合物半導體制造技術論壇”在安徽省蕪湖市成功舉辦查看詳情 +

2021-06-10

10000V！氮化鎵功率器件擊穿電壓新紀錄美國弗吉尼亞理工大學電力電子技術中心（CPES）和蘇州晶湛半導體團隊合作攻關，通過采用蘇州晶湛新型多溝道AlGaN/GaN異質結構外延片，以及運用pGaN降低表面場技術（p-GaNreducedsurfacefield(RESURF)制備的肖特基勢壘二極管(SBD)，成功實現了超過10kV的超高擊穿電壓。查看詳情 +

2021-04-21

蘇州晶湛半導體發布新型多溝道異質結構外延片產品，提高電力電子系統的轉化效率 2021年4月21日，蘇州晶湛半導體有限公司發布了新型多溝道AlGaN/GaN異質結構外延片產品，在保持高電子遷移率的同時，將載流子濃度提高了4倍以上查看詳情 +

2019-03-25

程凱博士應邀參加工業園區科信局舉辦的“科技創享匯” 3月25日，由蘇州工業園區科技和信息化局主辦的“科技創享匯”如期舉行查看詳情 +

2019-01-30

硅上的多通道三柵極III-氮化物高電子遷移率晶體管目前瑞士和中國的研究人員共同制造出具有五個III族氮化物半導體溝道能級的三柵極金屬氧化物半導體高電子遷移率晶體管，從而提高了靜電控制和驅動電流查看詳情 +

2018-11-08

蘇州晶湛半導體有限公司參加2018中國集成電路產業促進大會 2018中國集成電路產業促進大會——功率半導體主題研討會于2018年11月8日上午在重慶順利召開。研討會由中國電子信息產業發展研究院主辦，超摩爾研究室主任朱邵歆博士主持查看詳情 +

2017-09-20

蘇州晶湛半導體有限公司參加2017 SEMICON Taiwan及相關寬禁帶論壇 2017SEMICONTaiwan國際半導體展于9/13~9/15在臺北南港展覽館舉辦，本次展會除提供產業技術之外，并透過論壇與研討會的舉辦，互相交流，是臺灣半導體產業的一項年度盛事... 查看詳情 +

2016-11-17

【IFWS 2016】揭開寬禁帶半導體電力電子器件產業化序幕以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料已引發全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點。第三代半導體具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高... 查看詳情 +

2016-01-05

蘇州晶湛半導體有限公司榮獲2015年度蘇州市技術發明獎一等獎各市、區人民政府，蘇州工業園區、蘇州高新區、太倉港口管委會；市各委辦局，各直屬單位：為全面貫徹黨的十八大和十八屆三中、四中、五中全會以及習近平總書記系列重要講話特別是視察江蘇重要講話精神... 查看詳情 +

2015-07-28

蘇州晶湛半導體有限公司成為SEMI中國功率及化合物半導體委員會成員 SEMI中國宣布成立SEMI中國功率及化合物半導體委員會，并于2015年7月28日在上海舉行了啟動會議。SEMI全球副總裁、中國總裁陸郝安博士為會議致歡迎詞并介紹了SEMI中國圍繞促進產業發展所構建的產業合作交流平臺... 查看詳情 +

2014-07-03

蘇州晶湛半導體有限公司成功在200毫米硅基上生產出高壓氮化鎵HEMT結構材料中國半導體專家蘇州晶湛半導體有限公司通過利用AIXTRON愛思強反應器，成功在200毫米的硅基（硅基氮化鎵）上生產高壓氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）結構材料... 查看詳情 +