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新聞媒體

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2021-06

10000V！氮化鎵功率器件擊穿電壓新紀錄美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子技術(shù)中心（CPES）和蘇州晶湛半導(dǎo)體團隊合作攻關(guān)，通過采用蘇州晶湛新型多溝道AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片，以及運用pGaN降低表面場技術(shù)（p-GaNreducedsurfacefield(RESURF)制備的肖特基勢壘二極管(SBD)，成功實現(xiàn)了超過10kV的超高擊穿電壓。
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21

2021-04

蘇州晶湛半導(dǎo)體發(fā)布新型多溝道異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片產(chǎn)品，提高電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)化效率 2021年4月21日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司發(fā)布了新型多溝道AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延片產(chǎn)品，在保持高電子遷移率的同時，將載流子濃度提高了4倍以上
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25

2019-03

程凱博士應(yīng)邀參加工業(yè)園區(qū)科信局舉辦的“科技創(chuàng)享匯” 3月25日，由蘇州工業(yè)園區(qū)科技和信息化局主辦的“科技創(chuàng)享匯”如期舉行
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30

2019-01

硅上的多通道三柵極III-氮化物高電子遷移率晶體管目前瑞士和中國的研究人員共同制造出具有五個III族氮化物半導(dǎo)體溝道能級的三柵極金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管，從而提高了靜電控制和驅(qū)動電流
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