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發(fā)表論文

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Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement BinDong,JieLin,NingWang,Ling-liJiang,Zong-daiLiu,XiaoyanHu,KaiCheng,andHong-yuYu AIP Advances 6, 095021 (2016)
Characterization of trap behaviors in AlGaN/GaN MIS-HEMT via transient capacitance measurement BinDong,JieLin,NingWang,Ling-liJiang,Zong-daiLiu,KaiCheng,Hong-yuYu 2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)